Pressmeddelande

Mitsubishi Electric levererar prover på HVIGBT-modul i S-serienKonstruerad för extra kraftfulla och effektiva växelriktarsystem som används inom järnväg, elkraftsystem och annat

Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.

FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3759

S1-seriens HVIGBT-modul

TOKYO, 23 december 2024 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) meddelade idag att man kommer att börja leverera prover på två nya moduler i S1-seriens HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor), båda klassade till 1,7 kV, för stor industriell utrustning som järnvägsvagnar och DC-strömsändare från den 26 december. Tack vare egenutvecklade IGBT-enheter (Insulated Gate Bipolar Transistor) och isoleringsstrukturer ger de nya modulerna utmärkt tillförlitlighet och låg effektförlust och termisk resistans, vilket förväntas öka växelriktarnas tillförlitlighet och effektivitet i stor industriell utrustning.
Mitsubishi Electrics 1,7 kV HVIGBT-moduler, som lanserades 1997 och är högt ansedda för deras utmärkta prestanda och höga tillförlitlighet, används som växelriktare i många kraftsystem.
De nya modulerna i S1-serien innehåller Mitsubishi Electrics egenutvecklade RFC-diod (Relaxed Field of Cathode) som ökar RSSOA (Reverse Recovery Safe Operating Area) med 2,2 gånger jämfört med tidigare modeller* för förbättrad tillförlitlighet i växelriktare. Dessutom bidrar användningen av ett IGBT-element med en CSTBT** (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor) till att minska både effektförlust och termisk resistans för effektivare växelriktare. Därutöver ökar Mitsubishi Electrics egenutvecklade isoleringsstruktur isolationsspänningsresistansen till 6,0 kV rms, 1,5 gånger högre än tidigare produkter*, vilket ger mer flexibla isoleringsdesigner för kompatibilitet med ett brett utbud av växelriktartyper.


  1. *Jämförelse med CM1200DC-34N, CM1200E4C-34N och CM1200DC-34S.
  2. **Mitsubishi Electric:s egenutvecklade IGBT-kretskonstruktion med bärlagringseffekt.

Obs!

Observera att pressmeddelanden är korrekta vid tidpunkten för publicering men kan ändras utan föregående meddelande.

Frågor

Mediekontakt