Pressmeddelande
Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.
FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3707
16 W GaN PAM för 5G Massive MIMO-basstationer (MGFS52G38MB)
TOKYO, 4 juni 2024 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) meddelade idag att företaget börjar skicka prover på en ny galliumnitrid (GaN) effektförstärkarmodul (PAM) med 16 W genomsnittlig effekt för 5G massive MIMO1-basstationer (mMIMO) den 11 juni. Effektförstärkarmoduler, som kan användas i 32T32R mMIMO-antenner2 för att minska tillverkningskostnaden och strömförbrukningen för 5G mMIMO-basstationer, förväntas bli allt vanligare när 5G-näten expanderar från stadskärnor till regionala områden. Mitsubishi Electric kommer att visa upp sin nya 16 W GaN PAM i USA på IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS) 2024 i Washington, DC, 18–20 juni.
I september 2023 började Mitsubishi Electric tillhandahålla prover på en GaN PAM som uppnår en genomsnittlig uteffekt på 8 W (39 dBm) över ett brett frekvensområde från 3,4 till 3,8 GHz, vilket är lämpligt för 64T64R mMIMO-antenner3 i 5G-basstationer. Den 16 W (42 dBm) GaN PAM som presenterades idag uppnår ännu högre genomsnittlig uteffekt över ett brett frekvensområde från 3,3 till 3,8 GHz och är lämplig för 32T32R mMIMO-antenner, vilket utökar kommunikationsområdet för 5G mMIMO-basstationer och sänker deras tillverkningskostnad genom att minska det nödvändiga antalet effektförstärkarmoduler.
Observera att pressmeddelanden är korrekta vid tidpunkten för publicering men kan ändras utan föregående meddelande.