Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.

FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3748

(vänster) Wafer med SiC-MOSFET:ar för elfordon (återgivning) (höger) Layout för SiC-MOSFET med exponerat chip för elfordon (återgivning av leveransprov)

TOKYO, 12 november 2024 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) meddelade idag att man börjar leverera provexemplar av SiC-MOSFET-enheter (Silicon-Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) med exponerat chip för användning i drivmotorväxelriktare i elfordon (EV), plugin-hybridfordon (PHEV) och andra elfordon (xEV) den 14 november. Mitsubishi Electrics första SiC-MOSFET-effekthalvledarchip med standardspecifikation gör det möjligt för företaget att svara på diversifieringen av växelriktare för elfordon och bidra till den växande populariteten hos dessa fordon. Det nya exponerade SiC-MOSFET-chipet för elfordon kombinerar en egenutvecklad chipstruktur och tillverkningsteknik för att bidra till reducerade koldioxidutsläpp genom att förbättra växelriktarens prestanda, utöka räckvidden och förbättra energieffektiviteten i elfordon.

Mitsubishi Electrics nya effekthalvledarchip är en SiC-MOSFET med egenutvecklad kanal^* som reducerar effektförluster med cirka 50 % jämfört med konventionella plana^** SiC-MOSFET-enheter. Tack vare egenutvecklad tillverkningsteknik, som en gate-oxidfilmprocess som dämpar variationer i effektförlust och motstånd, uppnår det nya chipet långsiktig stabilitet för att bidra till växelriktarens hållbarhet och elfordonsprestanda.

1. *Spåret (kanal) grävs från waferns yta och gate-elektroden bäddas in.
2. **Gate-elektroden placeras på waferns yta.

• PDF-version (PDF : 245KB)

Frågor

Mediekontakt

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation