Pressmeddelande

Mitsubishi Electric släpper prover på SiC- och Si-strömmoduler i J3-serienSortimentet med sex modeller av kompakta T-PM:er och andra moduler resulterar i mindre och effektivare växelriktare i elfordon

Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.

FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3663

  • J3-T-PM

  • J3-HEXA-S

  • J3-HEXA-L

Föreg.
Nästa

TOKYO, 23 januari 2024 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) meddelade idag den kommande lanseringen av sex nya krafthalvledarmoduler i J3-serien för olika elfordon, med antingen SiC-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) eller en RC-IGBT (Si)1 med kompakt konstruktion och skalbarhet för användning i växelriktare i elfordon och laddhybridfordon (PHEV). Alla sex produkter i J3-serien är tillgängliga för provleveranser från 25 mars.
De nya strömmodulerna visas på den 38:e upplagan av mässan Electronics R&D, Manufacturing and Packaging Technology Expo (NEPCON JAPAN 2024) från 24 till 26 januari på Tokyo Big Sight, Japan, samt på andra mässor i Nordamerika, Europa, Kina och andra platser.
Eftersom krafthalvledare som effektivt kan omvandla elektricitet blir fler och mer varierade som svar på initiativ för minskade koldioxidutsläpp ökar efterfrågan på SiC-krafthalvledare med avsevärt lägre effektförlust. I elfordon används krafthalvledarmoduler i stor utsträckning i strömomvandlingsenheter som växelriktare till elfordonens drivmotorer. Kompakta, högeffektiva moduler behövs inte bara för att utöka elfordons räckvidd utan behövs även för att ytterligare minska storleken på batterier och växelriktare. Men på grund av de höga säkerhetsstandarderna för elfordon måste krafthalvledare som används i drivmotorer vara mer tillförlitliga än de som används i allmänna industriella tillämpningar.
Utvecklingen av SiC-produkterna har delvis gjorts med stöd av Japans New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO).


  1. 1 Omvänd värmeledande IGBT med en IGBT och en diod på ett enda chip

Obs!

Observera att pressmeddelanden är korrekta vid tidpunkten för publicering men kan ändras utan föregående meddelande.

Frågor

Mediekontakt