Pressmeddelande

Mitsubishi Electric utvecklar SBD-inbäddad SiC-MOSFET med ny struktur för strömmodulerNy kretsstruktur förhindrar att överspänningsström i specifika kretsar

Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.

FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3608

Fig. 1 Nyutvecklad kretsstruktur (Över: kretsområde. Under: parallellkopplade kretsar)

TOKYO, 1 juni 2023 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) meddelade idag att företaget har utvecklat en ny struktur för en SiC-MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) inbäddad med en SBD (Schottky Barrier Diode)1 som företaget har använt i en 3,3 kV full SiC-strömmodul, FMF 800 DC -66 BEW2 för storindustriell utrustning som järnvägar och DC-system. Proverna började levereras den 31 maj. Kretsens nya struktur förväntas bidra till att förminska storleken på järnvägssystem osv. samt göra dem mer energieffektiva och bidra till koldioxidneutralitet genom ökad användning av DC-överföring.
SIC-strömhalvledare är intressanta på grund av deras förmåga att avsevärt minska effektförlust. Mitsubishi Electric, som kommersialiserade SiC-strömmoduler utrustade med SiC-MOSFET och SiC-SBD år 2010, har använt SiC-strömhalvledare för en mängd olika växelriktarsystem, inklusive luftkonditionering och järnvägar.
Kretsen som är integrerad med en SiC-MOSFET och en SiC-SBD kan monteras på en modul mer kompakt jämfört med den konventionella metoden att använda separata kretsar, vilket möjliggör mindre moduler, större kapacitet och lägre omkopplingsförlust. Den förväntas användas i stor utsträckning i storindustriell utrustning som järnvägar och elektriska kraftsystem. Fram tills nu har den praktiska tillämpningen av strömmoduler med SBD-inbäddade SiC-MOSFET varit begränsad på grund av deras relativt låga kapacitet för överspänningsström3 vilket resulterar i termisk destruktion av kretsarna vid överspänningsström4 eftersom överspänningsström i anslutna kretsar endast koncentreras i specifika kretsar.

Mitsubishi Electric har nu utvecklat världens första5 mekanism med vilken överspänningsström koncentreras på en specifik krets i en parallellansluten kretsstruktur inuti en strömmodul, och en ny kretsstruktur där alla kretsar börjar strömsättas samtidigt så att överspänningsström distribueras genom varje krets. Som ett resultat har strömmodulens kapacitet för överspänningsström förbättrats med en faktor på fem eller mer jämfört med företagets befintliga teknik, som är lika med eller större än den för konventionella Si-strömmoduler, vilket möjliggör tillämpning av en SBD-inbäddad SiC-MOSFET i en strömmodul.

Information om utvecklingen tillkännagavs kl. 14:00 den 31 maj (lokal tid) under ISPSD6 2023, som hölls i Hongkong från den 28 maj till den 1 juni.


  1. 1Diod som bildas av föreningspunkten mellan en halvledare och en metall med en Schottky-barriär
  2. 2Mitsubishi Electric levererar prover på SBD-inbäddad SiC-MOSFET-modul
  3. 3Strömbegränsning som en strömmodul kan motstå vid överspänningsström
  4. 4Onormal drift där en ström som överskrider märkströmmen tillfälligt flödar från kretsen till en strömmodul
  5. 5Enligt forskning från Mitsubishi Electric från den 1 juni 2023
  6. 635:e International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs

Obs!

Observera att pressmeddelanden är korrekta vid tidpunkten för publicering men kan ändras utan föregående meddelande.

Frågor

Mediekontakt

Kundförfrågningar