Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.

FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3597

3,3 kV SBD-inbäddad SiC-MOSFET-modul

TOKYO, 8 maj 2023 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) meddelade idag att företaget börjar leverera prover på en ny SBD-inbäddad (Schottky Barrier Diode) SiC (Silicon Carbide) MOSFET-modul (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), med Dual-Type 3,3 kV-spänningstålighet och 6,0 kVrms dielektrisk styrka, den 31 maj. Den nya modulen förväntas stödja överlägsen effekt, effektivitet och tillförlitlighet i växelriktarsystem för storindustriell utrustning som järnvägar och elektriska kraftsystem. Modulen visas på större mässor, inklusive Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2023 i Nürnberg, Tyskland den 9 till 11 maj.

Mitsubishi Electric har redan släppt fyra full-SiC-moduler och två Dual-Type LV100 3,3 kV-högspänningsmoduler. För att ytterligare bidra till hög uteffekt, effektivitet och tillförlitlighet i växelriktare för storindustriell utrustning börjar företaget snart tillhandahålla prov på den nya modulen, vilken minskar växlingsförlusten, som en SiC-MOSFET med inbyggd SBD och en optimerad paketstruktur.

• PDF-version (PDF : 339KB)

Frågor

Mediekontakt

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation