Pressmeddelande

Mitsubishi Electric utvecklar 200 Gbit/s (112 Gbaud PAM4) EML-chip med stöd för fyra CWDM-signalerGör att datacenter kan erhålla upp till 800 Gbit/s/1,6 Tbit/s

Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.

FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3577

  • Chip (återgivning)

  • 112 Gbaud PAM4 ögondiagram
    (rygg-mot-rygg, Vpp = 1,2 V)

TOKYO, 2 mars 2023 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) meddelade idag att företaget har utvecklat ett 200 Gbit/s-chip (112 Gbaud, pulsamplitudmodulering på fyra nivåer (PAM4)) med ett EML-chip (Electro-Absorption Modulator Laser Diode) som fördubblar hastigheten på företagets befintliga 100 Gbit/s EML-chip tack vare en patenterad hybridvågledarstruktur. Stöd för CWDM (Coarse Wavelength Division Multiplexing) av fyra våglängder ger 800 Gbit/s överföring med fyra chip eller 1,6 Tbit/s med åtta chip.
Den avsevärt förbättrade prestandan förväntas öka överföringshastigheten för optiska sändtagare som används i datacenter för att svara på en kraftigt ökande efterfrågan på datatrafik på grund av den snabba tillväxten av tjänster för videodistribution och datahantering i molnet.
Mitsubishi Electric presenterar sitt nya chip på Optical Fiver Communication Conference and Exhibition (OFC) 2023 i San Diego, USA den 5–9 mars.

Obs!

Observera att pressmeddelanden är korrekta vid tidpunkten för publicering men kan ändras utan föregående meddelande.

Frågor

Mediekontakt

Kundförfrågningar