Pressmeddelande
Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.
FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3445
TOKYO, 21 oktober 2021 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) meddelade idag att företaget börjar skicka prover på sina 100 Gbit/s (53 Gbaud) EML-chip (Electro-absorption Modulator Laser diode) med fyra nivåer modulering av pulsamplitud (PAM4) för CWDM (Coarse Wavelength Division Multiplexing) den 1 november. Halvledardioden förväntas användas i uppsättningar om fyra EML-chip som ljuskälla i optiska sändtagare för 400 Gbit/s optisk fiberkommunikation i datacenter. Tack vare EML-chipens användbarhet i ett större temperaturområde bidrar det till att minska strömförbrukningen och kostnaderna för optiska sändtagare genom att eliminera behovet av konventionella temperaturstyrenheter.
Produkt | Modell | Våglängd | Temperaturområde | Leveransdatum |
---|---|---|---|---|
CWDM 100 Gbit/s (53 Gbaud PAM4) (EML-chip med bredare temperaturområde |
ML7CP70 | 1271, 1291, 1311 och 1331 nm |
5 till 85 °C | Den 1 november 2021 |
Observera att pressmeddelanden är korrekta vid tidpunkten för publicering men kan ändras utan föregående meddelande.