Pressmeddelande

Mitsubishi Electric lanserar N-serien 1 200 V SiC-MOSFET med 4 terminalerBidrar till att minska energiförbrukningen och strömförsörjningssystemens fysiska storlek

Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.

FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3382

TOKYO, 5 november 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) tillkännagav i dag lanseringen av en ny serie transistorer av SiC-MOSFET-enheter (Silicon-Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), N-serien med 1 200 V SiC-MOSFET-enheter i ett TO-247-4-paket,¹ som uppnår 30 % lägre switchförlust jämfört med befintliga TO-247-3²-paketprodukter. Den nya serien bidrar till att minska energiförbrukningen och den fysiska storleken på strömförsörjningssystem som kräver högspänningsomvandling, till exempel laddare till elfordon (EV), solcellssystem och mycket mer. Provleveranser börjar nu i november.

1Separerar Driver-Source-terminalen från Power-Source-terminalen, till skillnad från konventionella 3-stiftspaket
2Mitsubishi Electrics pressmeddelande den 16 juni 2020: https://www.MitsubishiElectric.com/news/2020/0616.html

N-serien 1200 V SiC-MOSFET i TO-247-4-paket

Produktegenskaper

1)Paket med fyra stift bidrar till att minska energiförbrukningen och den fysiska storleken på strömförsörjningssystem
- SIC-MOSFET-chip med god FOM (Figure of Merit³) på 1 450 mΩ-nC och hög Self-Turn-On-tolerans är monterad på TO-247-4-paket, som är utrustad med oberoende Driver-Source-terminal samt ett konventionellt 3-stiftspaket.
- Använder fyrstiftspaketet för att minska parasitisk induktans, ett problem vid höghastighetsväxling. Eliminering av spänningsfall från Gate-Source på grund av strömvariationer bidrar till att minska switchförluster med ungefär 30 % jämfört med TO-247-3-produkter.
- Genom att använda en högre bärvågsfrekvens⁴ för att driva de nya strömhalvledarna bidrar det till att minska switchströmförlust, vilket möjliggör mindre och enklare kylsystem samt mindre reaktorer och andra kringutrustningskomponenter, vilket bidrar till att minska energiförbrukningen och den fysiska storleken hos de övergripande strömförsörjningssystemen.
1. 3Prestandaindex för ström-MOSFET-enheter, beräknat genom att multiplicera PÅ-motståndet med Gate-Drain-laddningen (100 °C kopplingstemperatur). Lägre värden indikerar bättre prestanda
2. 4Frekvens som bestämmer PÅ/AV-tiden för omkopplingselement i växelriktarkretsar
2)Sex modeller för olika tillämpningar, inklusive modeller som uppfyller AEC-Q101
- Det nya sortimentet omfattar modeller som är kompatibla med Automotive Electronics Council AEC-Q101-standarder för användning inte bara i industritillämpningar, t.ex. solcellssystem, utan även i EV-tillämpningar.
- Krypavstånd (kortaste avståndet över ytan mellan två ledande delar) mellan Drain-terminalen och Source-terminalen är större än hos TO-247-3-paketprodukter för mer flexibel användning, inklusive i utomhusinstallationer där damm och smuts lätt samlas.