Pressmeddelande
Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.
FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3372
TOKYO, 15 september 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) tillkännagav idag lanseringen av andra generationens strömmoduler helt i kiselkarbid (SiC – Silicon Carbide) med ett nyutvecklat SiC-chip för industriell användning. De låga strömförlustegenskaperna och den höga bärfrekvensdriften1 hos SiC-MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) och SiC-SBD (Schottky Barrier Diode) förväntas underlätta utvecklingen av effektivare, mindre och lättare strömutrustning inom olika industriområden. Försäljningen börjar i januari 2021.
1 200 V/600 A, 800 A 2 i 1 1 700 V/300 A 2 i 1, Chopper RTC-krets, inbäddad
1 200 V/300 A, 400 A 4 i 1 RTC-krets, inbäddad
1 200 V/1 200 A 2 i 1 RTC-krets, inbäddad
1 200 V/400 A 4 i 1 1 200 V/800 A 2 i 1
Observera att pressmeddelanden är korrekta vid tidpunkten för publicering men kan ändras utan föregående meddelande.