Pressmeddelande

Mitsubishi Electric lanserar IGBT-modul av LV100-typ i T-serien för industriell användning

Minskar strömförbrukningen och storleken på system för förnybar strömförsörjning och mer

Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.

FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3367

TOKYO, 25 augusti 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) tillkännagav idag lanseringen av en IGBT-modul (Insulated-Gate Bipolar Transistor) av LV100-typ i T-serien för industriell användning. LV100-paketet, som ger hög mångsidighet och hög strömtäthet, har använts mycket inom järnvägs- och elkraftstillämpningar och har nu anpassats för industriell användning. Det förväntas bidra till att minska storleken och effektförlusten hos strömomvandlare, särskilt omvandlare som används för tillämpningar med förnybar energi, som solcells- och vindkraftsproduktion, samt motorstyrningar med hög kapacitet. Försäljningen startar i september.

IGBT-modul av typ LV100 i T-serien för industriell användning

Produktegenskaper

  1. 1)LV100-paket med allmän profil som är anpassat och optimerat för industriell användning
    • LV100-paketet, som används i stor utsträckning inom järnvägs- och elkraftstillämpningar, har anpassats och optimerats för att hjälpa till att standardisera paket för industritillämpningar.
  2. 2)Branschledande strömtäthet för små och mer energieffektiva omvandlare
    • LV100 är utrustad med den senaste (7:e generationen) IGBT, som använder CSTBT™ 1-strukturen och RFC-diod (Relax Field of Cathode)2 för låg effektförlust. Branschledande3 strömtäthet på 17,14 A/cm2 uppnås i denna högeffektiva IGBT-modul genom optimering av paketstrukturen. Det här paketet bidrar till att göra strömomvandlarna mindre, till exempel omvandlare för förnybara energikällor och motordrivningar med hög kapacitet (1 700 V/1 200 A och 1 200 V/1 200 A).
    1. 1Mitsubishi Electrics ursprungliga IGBT-struktur med CSE (Carrier Storage Effect)
    2. 2Mitsubishi Electrics originaldiod som optimerar elektronrörligheten på katodsidan
    3. 3Från den 25 augusti 2020 enligt Mitsubishi Electric-forskning
  3. 3)Optimerad intern struktur för mer tillförlitliga omvandlarsystem
    • Genom att integrera de isolerade och kopparbaserade delarna i strukturen, och optimera den interna elektrodstrukturen, ökar värmecykellivslängden4 och uppnår branschens högsta klass3 för paket med låg induktans, vilket bidrar till utrustningens tillförlitlighet.
    • Terminallayouten är optimerad för enkel sammankoppling och flexibla omvandlarkonfigurationer och -kapaciteter.
    • Tre AC-huvudströmsuttag sprider och utjämnar strömtätheten för ökad omvandlarkapacitet.
    1. 4Livslängd på grund av stressbelastning orsakad av relativt gradvis temperaturförändring som genereras av systemstart och stopp

Säljschema

Produkt Modell Klassificering Lanseringsdatum
IGBT-modul av typ LV100 i T-serien
för industriell användning		 CM800DW-24T 1 200 V/800 A September 2020
CM1200DW-24T 1 200 V/1 200 A
CM800DW-34T 1 700 V/800 A
CM800DW-34TA5 1 700 V/800 A
CM1200DW-34T 1 700 V/1 200 A
  1. 5CM800DW-34TA använder en stor frihjulsdiod

Obs!

Observera att pressmeddelanden är korrekta vid tidpunkten för publicering men kan ändras utan föregående meddelande.

Frågor

Mediekontakt

Kundförfrågningar