Pressmeddelande

Mitsubishi Electric lanserar N-serien 1200V SiC-MOSFETLåg strömförbrukning och miniatyrisering av strömförsörjningssystem, t.ex. inbyggda EV-laddare och solcellssystem

Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.

FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3361

TOKYO, 16 juni 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) tillkännagav idag lanseringen av N-serien 1200 V SiC-MOSFET (Silicon-Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) med låg strömförbrukning och hög tolerans1 för självstart. Den nya serien bidrar till att minska energiförbrukningen och miniatyrisering av strömförsörjningssystem som kräver högspänningsomvandling, till exempel laddare till elfordon (EV), solcellssystem och mycket mer. Provleveranser börjar i juli.

Mitsubishi Electric visar upp den nya N-serien 1200V SiC-MOSFET på viktiga branschmässor, inklusive PCIM Asia 2020 i Shanghai, Kina från 16 till 18 november.

  1. 1Ingångskapacitans/spegelkapacitans (Ciss/Crss), beräknad av Mitsubishi Electric

N-serien 1200V SiC-MOSFET

Produktegenskaper

  1. 1)Minskad strömförbrukning och miniatyrisering av strömförsörjningssystem
    • Dopingtekniken JFET (Junction Field Effect Transistor) minskar både brytningsförluster och motstånd, vilket ger ett branschledande2 FOM-värde (Figure of Merit3) på 1 450mΩ·nC. Strömförbrukningen i strömförsörjningssystem minskas med cirka 85 % jämfört med vid användning av vanliga Si-IGBT:er.
    • Genom att minska spegelkapacitansen4, förbättras självstartstoleransen med 14 gånger jämfört med konkurrenternas produkter. På så sätt kan snabb växling utföras och bidra till att minska brytningsförlusten.
    • Minskad brytningsförlust av ström gör det möjligt att minska storleken på och förenkla kylsystemen samt att minska storleken på perifera komponenter, till exempel reaktorn genom att driva krafthalvledarreläet med en högre bärfrekvens5, vilket bidrar till att minska kostnaden och storleken på de övergripande strömförsörjningssystemen.
    1. 2Från den 16 juni 2020 enligt Mitsubishi Electric-forskning
    2. 3Prestandaindex för Power-MOSFET, beräknat genom att multiplicera ON-motståndet med Gate-Drain-laddningen (100 °C kopplingstemperatur). Lägre värden indikerar bättre prestanda
    3. 4Strökapacitans mellan Gate-Drain finns i MOSFET-strukturen (Crss)
    4. 5Frekvens som bestämmer PÅ/AV-tiden för omkopplingselementet i en växelriktarkrets
  2. 2)Sex modeller för olika tillämpningar, inklusive modeller som uppfyller AEC-Q101
    • Produktsortimentet omfattar modeller som är kvalificerade enligt Automotive Electronics Councils AEC-Q101-standarder. Därför kan N-seriens SiC-MOSFET inte bara användas i industriella tillämpningar som solcellssystem, den kan även användas i inbyggda EV-laddare.

Säljschema

Produkt Standarder Modell VDS RDS(on)_typ. IDmax@25 °C Kapsel Provtill-
gänglighet
SiC-MOSFET AEC-Q101 BM080N120SJ 1200V 80 mΩ 38 A TO-247-3 Juli 2020
BM040N120SJ 40 mΩ 68 A
BM022N120SJ 22 mΩ 102 A
— BM080N120S 80 mΩ 38 A
BM040N120S 40 mΩ 68 A
BM022N120S 22 mΩ 102 A

Obs!

Observera att pressmeddelanden är korrekta vid tidpunkten för publicering men kan ändras utan föregående meddelande.

Frågor

Mediekontakt

Kundförfrågningar