Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.

FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3272

TOKYO, 27 mars 2019 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) tillkännagav idag lanseringen av en ny 1 200 V kiselkarbid Schottky-barriärdiod (SiC-SBD) som minskar energiförlusterna och den fysiska storleken på strömförsörjningssystem för infrastruktur, fotovoltaiska kraftsystem och mycket mer. Provleveranserna börjar i juni 2019 och försäljningen startar i januari 2020.

Dioderna kommer att demonstreras vid viktiga mässor, bland annat på MOTORTECH JAPAN 2019 under TECHNO-FRONTIER 2019 i Makuhari Messe-mässan i Chiba, Japan den 17–20 april, PCIM Europe 2019 i Nürnberg, Tyskland den 7–9 maj, samt på PCIM Asia 2019 i Shanghai, Kina den 26–28 juni.

• 

  1 200 V SiC-SBD TO-247-kapsel

• 

  1 200 V SiC-SBD TO-247-2-kapsel

Produktegenskaper

1. 1) Kiselkarbid hjälper till att minska effektförluster och kapselstorlek
   • En förbättrad energiförbrukning innebär en besparing på ungefär 21 % i jämförelse med silikonprodukter (Si)
   • Det genererar höga switchfrekvenser och en storleksminskning av perifera komponenter som reaktorer


2. 2) Ökad tillförlitlighet tack vare JBS-strukturen (junction-barrier Schottky)
   • Schottky-barriären kombineras med p-n junction
   • JBS-strukturen bidrar till en hög tillförlitlighet


3. 3) Utökar sortimentet för olika tillämpningar
   • TO-247-2-kapseln, med det utökade isoleringsavståndet, täcker, som det befintliga To-247-kapseln, ett brett spektrum av tillämpningar, inklusive konsumentvaror.
   • Kompatibel med Automotive Electronics Council-specifikationen AEC-Q101 för användning i bilar (endast BD20120SJ)

Säljschema