FÖR OMEDELBAR PUBLICERING NR 3085
Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.
Den minskar både strömförlust och strömförsörjningssystems fysiska storlek
TOKYO, 7 mars, 2017 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) meddelade idag lanseringen av en Schottky-diod av kiselkarbid (SiC-SBD) som införlivar en JBS-struktur (junction-barrier Schottky). Den kommer omedelbart att minska både strömförlusten och den fysiska storleken av strömförsörjningssystem för bland annat luftkonditionering och solcellssystem.
Serie | Modell | Kapsel | Specifikation | Frakt |
---|---|---|---|---|
SiC-SBD | BD20060T | TO-220 | 20A/600V | 1 mars 2017 |
BD20060S | TO-247 | 1 september 2017 |
Observera att meddelandena är korrekta vid tidpunkten för publiceringen men kan ändras utan föregående meddelande.