TOKYO, 7 mars, 2017 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) meddelade idag lanseringen av en Schottky-diod av kiselkarbid (SiC-SBD) som införlivar en JBS-struktur (junction-barrier Schottky). Den kommer omedelbart att minska både strömförlusten och den fysiska storleken av strömförsörjningssystem för bland annat luftkonditionering och solcellssystem.

SiC-SBD (BD20060T)

SiC-SBD (BD20060S)

Produktegenskaper

1)
Kiselkarbid bidrar till en lägre strömförbrukning och till en kompakt storlek.
-Det innebär en energibesparing på ungefär 21 % i jämförelse med silikonprodukter (Si)
-Det generar höga switchfrekvenser och en storleksminskning av perifera komponenter som reaktorer
2)
Ökad tillförlitlighet tack vare JBS-strukturen (junction-barrier Schottky)
-Schottkybarriären kombineras med p-n junction
-JBS-strukturen bidrar till en hög tillförlitlighet

Säljschema

Serie Modell Kapsel Specifikation Frakt
SiC-SBD BD20060T TO-220 20A/600V 1 mars 2017
BD20060S TO-247 1 september 2017

Observera att meddelandena är korrekta vid tidpunkten för publiceringen men kan ändras utan föregående meddelande.