TOKYO den 2 december 2025 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) har idag meddelat att företaget den 9 december lanserar nya standardisolerande moduler (6,0 kVrms) och högisolerande moduler (10,2 kVrms) i XB-serien av bipolära högspänningstransistorer med isolerat styre (HVIGBT). Dessa nya effekthalvledare har hög fuktbeständighet och ger växelriktare med högre effektivitet och tillförlitlighet i tillämpningar som större industriutrustningar, exempelvis spårfordon, och är avsedda för olika miljöer, även utomhus. Mitsubishi Electric kommer att ställa ut de nya modulerna på den 40:e upplagan av Tokyo-mässan Nepcon Japan R&D and Manufacturing mellan den 21 och 23 januari 2026 och på andra mässor i bland annat Nordamerika, Europa, Kina och Indien.

De nya modulerna använder IGBT-element med Mitsubishi Electrics egenutvecklade RFC-diod (relaxed field of cathode) och CSTBT¹-struktur (carrier-stored trench-gate bipolar transistor). Genom ny konstruktion för fältavlastning² och ytladdningsstyrning³ har Mitsubishi Electric kunnat minska chipets termineringsregion med cirka 30 % och uppnå cirka 20 gånger⁴ högre fuktbeständighet jämfört med nuvarande produkter. Dessutom minskar modulen den totala switchförlusten med cirka 5 %⁵ jämfört med tidigare modeller, och toleransen i det säkra driftområdet för omvänd återställning (RRSOA) är cirka 2,5 gånger⁶ större än för tidigare modeller.

Som ett resultat av att förbättra effektiviteten och tillförlitligheten hos växelriktare i stor industriell utrustning i miljöer där förhållandena kan variera, till exempel utomhus, kommer modulerna att bidra till koldioxidneutralitet.