Pressmeddelande

Mitsubishi Electric lanserar 2,0 kV IGBT-modul i T-serien för industriell användningÖkar effektiviteten och effekttätheten i strömförsörjningsenheter för förnybar energi klassade för DC1500V

Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.

FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3417

TOKYO 9 juni 2021Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) tillkännagav idag lanseringen av företagets 2,0 kV IGBT-modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) i T-serien för industriell användning, världens första IGBT1 med 2,0 kV spänningstålighet, den 30 juni. Modulen är perfekt lämpad för att öka effektiviteten och minska storleken på omvandlare för förnybar energi, vilka är mycket efterfrågat på grund av den ökande användningen av strömförsörjningsenheter för förnybar energi. Modulen visas på APEC 2021 (Applied Power Electronics Conference) virtuella utställning från den 15 till 16 juni.

  1. 1Enligt forskning från Mitsubishi Electric från den 9 juni 2021

2,0 kV IGBT-modul i T-serien för industriell användning (2,0 kV/400 A)

Produktegenskaper

  1. 1)Världens första IGBT med 2,0 kV spänningstålighet för kompaktare DC1500V-omvandlare
    • Världens första 2,0 kV-klassade IGBT som lämpar sig för DC1500V-klassade omvandlare, vilka är svåra att designa med konventionella 1,7 kV-klassade IGBT-enheter.
    • Möjliggör utveckling av enklare och mindre DC1500V-klassade omvandlare utan behov av komplex topologi, t.ex. NPC med tre nivåer (I-typanslutning).2
    1. 2Kretstopologi bestående av fyra serieanslutna IGBT:er och två klämdioder anslutna till en spänningsneutral punkt på ett ben
  2. 2)7:e generationens IGBT- och RFC-dioder bidrar till att minska strömförlust i omvandlare
    • Lämplig för tillämpningar med hög spänning och lägre effektförlust som den senaste (7:e generationen) IGBT med CSTBT™-struktur3 (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor) och RFC (Relax Field of Cathod)4 optimerade för hög spänningstålighet.
    1. 3Mitsubishi Electrics unika IGBT som använder den kumulativa effekten i CSTBT
    2. 4Mitsubishi Electrics originaldiod som optimerar elektronrörligheten på katodsidan

Halvledare för effektiv kontroll av elkraft används i allt fler tillämpningar, med en ökande efterfrågan som nyckelenheter som kan bidra till att minska koldioxidutsläppen i det globala samhället. Samtidigt krävs elnät som använder förnybara energikällor för att uppnå en mer effektiv omvandling genom att öka driftsspänningen i systemet. För detta ändamål har omvandlare klassade för DC1500V, den övre gränsen för lågspänningsdirektivet5, utvecklats. Som svar lanserar Mitsubishi Electric snart företagets 2,0 kV IGBT i T-serien som lämpar sig för DC1500V-omvandlare, som förväntas bidra till att förenkla design och storleksminskning av sådana omvandlare samt öka deras effektivitet.

  1. 5Gemensamma säkerhetsföreskrifter som gör det möjligt att acceptera elektrisk utrustning som godkänts av ett EU-medlemsland för användning i alla andra EU-länder

Specifikationer

Produkt Modell Märk- spänning Märk- ström Isolerings- spänning Anslutning Storlek
B×D (mm)
IGBT-modul,
T-serien,
standardtyp
CM400DY-40T 2,0 kV 400 A 4 kVrms 2in1 80 X 110

Obs!

Observera att pressmeddelanden är korrekta vid tidpunkten för publicering men kan ändras utan föregående meddelande.


Frågor

Mediekontakt

Kundförfrågningar