Pressmeddelande

Mitsubishi Electric lanserar andra generationens strömmoduler helt i kiselkarbid för industriell användning

Bidrar till effektivare, mindre och lättare strömelektronikutrustning

Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.

FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3372

TOKYO, 15 september 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) tillkännagav idag lanseringen av andra generationens strömmoduler helt i kiselkarbid (SiC – Silicon Carbide) med ett nyutvecklat SiC-chip för industriell användning. De låga strömförlustegenskaperna och den höga bärfrekvensdriften¹ hos SiC-MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) och SiC-SBD (Schottky Barrier Diode) förväntas underlätta utvecklingen av effektivare, mindre och lättare strömutrustning inom olika industriområden. Försäljningen börjar i januari 2021.

1Frekvens som bestämmer PÅ/AV-tiden för omkopplingselementet i en växelriktarkrets

1 200 V/600 A, 800 A 2 i 1 1 700 V/300 A 2 i 1, Chopper RTC-krets, inbäddad
1 200 V/300 A, 400 A 4 i 1 RTC-krets, inbäddad
1 200 V/1 200 A 2 i 1 RTC-krets, inbäddad
1 200 V/400 A 4 i 1 1 200 V/800 A 2 i 1

Produktegenskaper

1)Underlättar mer energieffektiv, mindre och lättare industriell utrustning
- JFET (Junction Field-Effect Transistor) dopningsteknik² minskar resistansen med cirka 15 % jämfört med traditionella SiC-produkter³.
- Minskning av spegelkapacitansen⁴ möjliggör snabb omkoppling och minskar omkopplingsförlusten.
- Inbyggd SiC-MOSFET och SiC-SBD hjälper till att minska effektförlusten med cirka 70 % jämfört med Mitsubishi Electrics konventionella Si-IGBT-moduler.
- Minskad effektförlust och drift med hög bärfrekvens underlättar utvecklingen av mindre och lättare externa komponenter, t.ex. reaktorer och kylare.
1. 2Ökar enhetsdensiteten genom att öka föroreningsdensiteten i JFET-området
2. 3Mitsubishi Electrics första generationens SiC-moduler (med samma klassning) för industriell användning
3. 44 Strökapacitans mellan grind och dränering som finns i MOSFET-strukturen (Crss) som påverkar omkopplingstiden
2)RTC-krets (Real Time Control) balanserar kortslutningsprestanda och låg resistans
- Säker kortslutningsprestanda och låga egenskaper för resistans uppnås med RTC-krets5 för att blockera överström under kortslutningar.
- I händelse av kortslutning blockerar säkert överström från en extern skyddskrets genom övervakning av kortslutningsdetekteringssignalen.
1. 5Utom modellerna FMF400BX-24B och FMF800DX-24B
3)Optimerad invändig chip-layout för förbättrad värmeavledning
- Decentraliserad och optimerad placering av SiC-MOSFET- och SiC-SBD-kretsar inuti moduler bidrar till att förbättra värmeavledningen, vilket gör att mindre eller fläktfria kylare kan användas.