Pressmeddelande
Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.
FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3298
TOKYO, 2 september 2019 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) meddelade idag att man, i samarbete med Research Center for Ubiquitous MEMS and Micro Engineering, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), har utvecklat en högelektronmobilitetstransistor i galliumnitrid (GaN-HEMT) i en flercellstruktur (flera transistorceller parallellt arrangerade), direkt bunden till ett monokristallint värmeavledande diamantsubstrat med hög värmeledningsförmåga. Direktbindningen av en flercellig GaN-HEMT till ett monokristallint diamantsubstrat tros vara den första i världen.* Den nya GaN-på-diamant-HEMT:en kommer att förbättra den förstärkta effektiviteten hos högeffektsförstärkare i basstationer för mobil kommunikation och satellitkommunikationssystem, och därmed bidra till att minska strömförbrukningen. Mitsubishi Electric kommer att förfina GaN-på-diamant-HEMT:en före dess kommersiella lansering som planeras för 2025.
Den här forskningsprestationen tillkännagavs för första gången vid International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) som just nu hålls vid Nagoya University i Japan från den 2:a till den 5:e september.
Nya GaN-på-diamant-HEMT, vy ovanifrån och över cellstrukturen
Tvärsnittsvy av nya GaN-på-diamant-HEMT
Mitsubishi Electric hanterade utformning, tillverkning, utvärdering och analys av GaN-på-diamant-HEMT:en och AIST utvecklade direktbindningstekniken. En del av den här prestationen bygger på resultat som erhållits från ett projekt som beställts av New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO).
Observera att pressmeddelanden är korrekta vid tidpunkten för publicering men kan ändras utan föregående meddelande.