FÖR OMEDELBAR PUBLICERING Nr 3164
Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.
Det leder till mindre, effektivare elutrustning för motorvagnar och elproduktionssystem
TOKYO, 31 januari 2018 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) meddelade idag att man har utvecklat en 6,5 kV strömhalvledarmodul helt i kiselkarbid (SiC), som anses uppnå världens högsta effekttäthet (beräknat utifrån märkspänning och ström) bland strömhalvledarmoduler klassade från 1,7 kV till 6,5 kV. Den oöverträffade effekttätheten möjliggörs av modellens nyskapande konstruktion med diod och integrerad metalloxidhalvledare för fälteffekttransistor (MOSFET) på samma krets, i kombination med det nyutvecklade skalet. Mitsubishi Electric räknar med att modulen möjliggör mindre och energieffektivare elutrustning för elproduktionssystem och motorvagnar med högspänning. Företaget arbetar ständigt med att göra tekniken ännu bättre och mer pålitlig.
Effekttäthet | Strömförlust | Förmodad arbetsfrekvens | |
---|---|---|---|
Modul helt i kiselkarbid | 1,8* | 1/3 | 4 |
Vanlig IGBT-modul i silikon | 1** | 1 | 1 |
Obs! Värdena är normaliserade till motsvarande värden för Mitsubishi Electrics vanliga IGBT-moduler i silikon
*Motsvarar 9,3 kVA/cm3
**Motsvarar 5,1 kVA/cm3
Observera att informationen är korrekt vid tidpunkten för publicering men kan ändras utan föregående meddelande.