FÖR OMEDELBAR PUBLICERING NR 3085

Det här pressmeddelandet är en översättning av den officiella engelskspråkiga versionen. Det publiceras endast som praktisk referens för användaren. Läs den ursprungliga engelska versionen för information. Vid skillnader mellan texterna är det den engelska versionen som gäller.

Mitsubishi Electric lanserar en Schottky-diod av kiselkarbid

Den minskar både strömförlust och strömförsörjningssystems fysiska storlek

PDF-version (PDF:205.2KB)

TOKYO, 7 mars, 2017 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) meddelade idag lanseringen av en Schottky-diod av kiselkarbid (SiC-SBD) som införlivar en JBS-struktur (junction-barrier Schottky). Den kommer omedelbart att minska både strömförlusten och den fysiska storleken av strömförsörjningssystem för bland annat luftkonditionering och solcellssystem.

SiC-SBD (BD20060T)

SiC-SBD (BD20060S)

Produktegenskaper

1)
Kiselkarbid bidrar till en lägre strömförbrukning och till en kompakt storlek.
-Det innebär en energibesparing på ungefär 21 % i jämförelse med silikonprodukter (Si)
-Det generar höga switchfrekvenser och en storleksminskning av perifera komponenter som reaktorer
2)
Ökad tillförlitlighet tack vare JBS-strukturen (junction-barrier Schottky)
-Schottkybarriären kombineras med p-n junction
-JBS-strukturen bidrar till en hög tillförlitlighet

Säljschema

Serie Modell Kapsel Specifikation Frakt
SiC-SBD BD20060T TO-220 20A/600V 1 mars 2017
BD20060S TO-247 1 september 2017